研究目的
通过X射线光电子能谱研究Al2O3/GaSb界面，以改善基于GaSb的金属-氧化物-半导体结构的界面和电学性能。
研究成果
O2等离子体后原子层沉积工艺通过限制氧物种的扩散，在界面处的Al2O3内形成富氧层，从而减少沉积后退火后的界面氧化。该工艺提高了氧化物/半导体界面的质量。
研究不足
该研究的局限性在于所采用的特定钝化与处理条件，以及仅聚焦于Al2O3/GaSb界面。未探究更长时间空气暴露或不同钝化浓度的影响。
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研究NH<sub>4</sub>OH和HCl/(NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>S钝化处理及O<sub>2</sub>等离子体后原子层沉积工艺中Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GaSb界面的氧化现象
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研究NH<sub>4</sub>OH和HCl/(NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>S钝化处理及O<sub>2</sub>等离子体后原子层沉积工艺中Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GaSb界面的氧化现象
DOI：10.1063/1.5049571
期刊：Journal of Applied Physics
出版年份：2018
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
本研究采用X射线光电子能谱分析了Al2O3/GaSb界面，旨在改善基于GaSb的金属-氧化物-半导体结构的界面及电学性能。首先分别采用4%和5%稀释度的NH4OH或(NH4)2S进行不同钝化处理以减少GaSb表面自然氧化层。随后研究了原子层沉积(ALD)后经氧等离子体处理及不同温度退火工艺对Al2O3与GaSb表面的氧化影响。结果表明：(NH4)2S钝化能有效降低GaSb表面自然氧化层含量；而ALD后氧等离子体处理可在界面处Al2O3内形成富氧层，从而减少后续氧化物退火过程中GaSb表面的氧化程度。
作者：
Y. Lechaux，A. B. Fadjie-Djomkam，M. Pastorek，X. Wallart，S. Bollaert，N. Wichmann
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