研究目的
研究少层ReS2场效应晶体管（FETs）中的光门控效应和高增益，以探索其作为光电探测器的潜在应用。
研究成果
研究表明，少层ReS2场效应晶体管因电荷陷阱而表现出显著的光门控效应和高增益。研究结果提示其在光电器件中具有潜在应用价值，计算得出器件增益为5×10^4。未来研究可探索电荷陷阱的电子能谱以获得更深入理解。
研究不足
该研究的局限性在于光门控效应具有样本依赖性，且假设光电流呈单指数衰减，这可能无法完全反映电荷陷阱动力学的复杂性。
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ReS?场效应晶体管中的光门控与高增益
DOI：10.1063/1.5050821
期刊：Journal of Applied Physics
出版年份：2018
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
二维层状过渡金属硫族化合物因其卓越的电光特性及作为光电探测器的潜在应用前景而备受关注。我们在少数层（3-4层）ReS?场效应晶体管（FET）中观测到光门控效应——通过改变入射光功率可调控晶体管的阈值电压。该效应使晶体管对入射光的电学响应产生显著增益，其响应度（R）与外量子效率（EQE）的测量值证实了这一点。在开启态光电导的四端测量中，我们获得最大45 A/W的响应度，对应约10500%的外量子效率。我们认为光门控效应与观测到的增益均源于电荷陷阱的影响。根据实验数据估算，该器件的增益系数约为5×10?。由美国物理联合会出版社（AIP Publishing）出版。
作者：
C. Garcia，N. R. Pradhan，D. Rhodes，L. Balicas，S. A. McGill
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