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MoO?/GaAs(001)混合结构的温度依赖性界面稳定性

DOI：10.1063/1.5050859 期刊：Journal of Applied Physics 出版年份：2018 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 我们报道了生长温度和生长后退火对GaAs(001)衬底上薄层MoO3薄膜界面形成及膜结构的影响，这对于未来作为III/V族半导体自旋电子学、光电子学或光伏器件中载流子选择性接触或扩散屏障的应用具有重要意义。生长和生长后退火过程采用模拟异质结构生长和光刻工艺的方式进行。高分辨透射电子显微镜显示，在200°C以下为纳米晶（"非晶"）生长，在约400°C时转变为多晶生长。能量色散X射线光谱的空间分辨化学分析表明，在薄膜沉积和退火过程中，MoO3/GaAs(001)界面均发生强烈互混。我们的结果证实了在沉积初始阶段界面形成过程中发生的互混具有重要作用。
作者： Tanveer Ashraf，Anirban Sarkar，Wolfgang Grafeneder，Reinhold Koch
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究生长温度和生长后退火对GaAs(001)衬底上薄层MoO3薄膜界面形成及膜结构的影响，该薄膜可用于III/V族半导体自旋电子学、光电子学或光伏器件中的载流子选择性接触或扩散阻挡层。

研究成果

研究表明，MoO3/GaAs(001)界面存在显著的混合现象，该现象受生长温度和退火工艺影响。与无定形/纳米晶薄膜相比，晶态MoO3薄膜显示出较低的混合程度，表明其作为扩散阻挡层的潜在应用价值。这些发现强调了界面形成条件对光电子学和光伏应用的重要性。

研究不足

本研究仅限于在特定生长和退火条件下对MoO3/GaAs(001)界面的分析。所得结论可能不直接适用于其他材料体系或不同的加工条件。

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