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Au/Ir/n-InGaN肖特基势垒二极管的电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)特性统计分析

DOI：10.1166/asl.2018.12154 期刊：Advanced Science Letters 出版年份：2018 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 本工作采用电子束蒸发技术制备了20个Au/Ir/n-InGaN肖特基势垒二极管(SBD)。通过室温下的电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试确定了肖特基势垒参数，包括理想因子(n)、肖特基势垒高度(SBH)和施主浓度(Nd)。I-V测试的统计分布显示：平均肖特基势垒高度为0.70 eV（标准偏差10 meV），平均理想因子为1.50（标准偏差0.0478）。同时从I-V特性中评估了串联电阻(RS)和并联电阻两个重要参数。此外，采用Norde法和Cheung法测算了肖特基势垒高度、理想因子及串联电阻。C-V数据的统计分布表明：平均肖特基势垒高度为0.91 eV（标准偏差12 meV），平均施主浓度为0.71×101? cm?3（标准偏差0.018×101? cm?3）。
作者： R. Padma，V. Rajagopal Reddy
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

在n型InGaN上制备并表征Au/Ir肖特基接触，通过室温下的电流-电压（I-V）和电容-电压（C-V）测量研究其电学特性。

研究成果

成功研究了Au/Ir/n-InGaN肖特基二极管的电学特性，通过I-V测试获得了平均肖特基势垒高度和理想因子值，C-V测试则显示出更高的势垒高度。该研究揭示了金属-半导体界面的导电过程与势垒形成机制，建议在更宽温度范围内进一步研究以进行详细分析。

研究不足

该研究仅限于室温测量。通过I-V和C-V测量获得的肖特基势垒高度值存在差异，这表明存在陷阱态、镜像力效应以及势垒不均匀性。

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