研究目的
提出一种新的直接提取方法来确定异质结双极晶体管（HBT）的寄生电容，重点是利用具有相同焊盘轮廓的三种不同尺寸的HBT来提取基极寄生电容Cpb。
研究成果
所提出的方法为确定异质结双极型晶体管（HBT）的焊盘电容提供了一种直接且精确的途径，测量结果与建模结果高度吻合。改进后的小信号模型考虑了基极和集电极馈线的分布效应，提高了本征参数提取的准确性。
研究不足
该方法需要三个具有相同焊盘结构但尺寸不同的HBT器件，并已测试至40 GHz频率。更高频率或不同焊盘结构的准确性尚未验证。
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基于可扩展小信号等效电路模型的GaAs HBT器件PAD电容确定新方法
DOI：10.1016/j.sse.2018.10.005
期刊：Solid-State Electronics
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
本文提出了一种测定异质结双极晶体管（HBT）寄生电容的新直接提取方法。其主要优势在于：通过使用具有相同焊盘布局的三种不同尺寸HBT，即可提取基极寄生电容Cpb。该方法基于改进的小信号模型，该模型考虑了基极和集电极馈线的分布效应。对于1×3×12μm2、2×2×20μm2和1×3×40μm2（发射极指条数×发射极宽度×发射极长度）的GaAs HBT，在高达40GHz的频率范围内，实测结果与模型计算结果高度吻合。
作者：
Ao Zhang，Jianjun Gao
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