研究目的
研究半导体纳米结构与量子限制相关的尺寸依赖性光学特性。
研究成果
空间限制会对半导体中的电子、空穴和激子产生若干主要影响。当限制尺度与电子和空穴的德布罗意波长相当，但仍远大于晶格周期时，晶格特性仅发生轻微改变，而电子、空穴和激子的特性则会发生显著变化。低维结构中的吸收光谱、发射光谱、复合速率、弛豫时间以及发光量子产率均会呈现尺寸和形状依赖性。
研究不足
该研究为理论性研究，未涉及直接的实验验证。模型可能无法涵盖半导体纳米结构的所有实际复杂性。
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应用纳米光子学 || 半导体中的量子限制效应
DOI：10.1017/9781316535868.004
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
原子、分子和固体对光的吸收与发射源于电子跃迁。在具有受限几何结构的固体（如纳米颗粒、纳米棒或纳米片）中，电子限域现象会导致半导体纳米结构的光学吸收和发射光谱以及跃迁概率发生改变。这些现象是电子波动特性的直接结果。本章我们将阐述与量子限域相关的半导体纳米结构的尺寸依赖性光学特性。
作者：
AI智能分析
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