研究目的
研究a-Ir2O3/a-Ga2O3 p-n异质结二极管的电学特性和能带排列。
研究成果
a-Ir2O3/a-Ga2O3 pn异质结二极管展现出明显的整流特性,开启电压约为2.0 V。能带排列为交错能隙(II型),价带和导带偏移量分别为3.34 eV和1.04 eV。电子总势垒高度约2.4 eV,与开启电压相符,表明在开启电压附近主要由电子承担导电作用。
研究不足
由于器件结构和工艺、薄膜中的晶体缺陷以及杂质可能导致泄漏。
研究目的
研究a-Ir2O3/a-Ga2O3 p-n异质结二极管的电学特性和能带排列。
研究成果
a-Ir2O3/a-Ga2O3 pn异质结二极管展现出明显的整流特性,开启电压约为2.0 V。能带排列为交错能隙(II型),价带和导带偏移量分别为3.34 eV和1.04 eV。电子总势垒高度约2.4 eV,与开启电压相符,表明在开启电压附近主要由电子承担导电作用。
研究不足
由于器件结构和工艺、薄膜中的晶体缺陷以及杂质可能导致泄漏。
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