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基于InGaN层应变弛豫的AlGaN/AlN/InGaN/GaN双异质结构中电荷密度的建模

DOI：10.1088/2399-6528/aaf3c1 期刊：Journal of Physics Communications 出版年份：2018 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 本文提出了一种分析模型，用于计算以InGaN为导电层的裸露表面AlGaN/AlN/InGaN/GaN双异质结构中的二维电子气（2DEG）密度和势垒高度。该基础模型源自不同材料界面的静电分析，并纳入了InGaN层中应变弛豫效应的影响。此外，当InGaN层厚度较大时，在InGaN/GaN界面形成的二维空穴气所造成的影响也被纳入考量。研究结果表明，该模型与现有实验数据相符，因此可作为设计和模拟InGaN基III族氮化物异质结构的有力工具。
作者： Joydeep Ghosh
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研究概述 实验方案

研究目的

为了计算裸露表面AlGaN/AlN/InGaN/GaN双异质结构的二维电子气（2DEG）密度和势垒高度，需考虑InGaN层中的应变弛豫效应以及InGaN/GaN界面处二维空穴气的影响。

研究成果

所开发的分析模型能准确预测AlGaN/AlN/InGaN/GaN双异质结构中的二维电子气密度和表面势垒高度，该模型考虑了InGaN层的应变弛豫以及InGaN/GaN界面处二维空穴气的形成，是设计和分析基于InGaN的III族氮化物异质结构的有效工具。

研究不足

该模型的准确性取决于是否有实验数据可供验证。InGaN层中的应变弛豫效应以及InGaN/GaN界面处二维空穴气的形成是复杂现象，可能需要进一步的理论和实验研究。

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