研究目的
研究具有倒置能带结构的HgCdTe反型层中大自旋轨道分裂现象，以探索其在自旋电子器件中的应用潜力。
研究成果
该研究成功证明了反型HgCdTe材料中反型层存在大的自旋轨道分裂，提取的零场自旋分裂能量高达约34毫电子伏特。这一发现表明有望开发出可在室温下工作的基于HgTe的自旋电子器件。
研究不足
该研究受限于观测到的微弱量子平台和舒布尼科夫-德哈斯振荡，这可能是由体材料的平行传导所致。由于霍尔迁移率未知，体材料的确切贡献尚未进行定量测定。
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具有倒置能带结构的HgCdTe反型层中的大自旋轨道分裂
DOI：10.1209/0295-5075/124/27006
期刊：EPL (Europhysics Letters)
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
本文报道了对具有倒置能带结构的HgCdTe反型层中二维电子气的磁输运特性研究。该材料的磁阻呈现舒布尼科夫-德哈斯振荡，在低磁场下可观察到拍频现象，这归因于零场自旋分裂效应。通过对观测到的拍频模式进行快速傅里叶变换，提取出零场自旋分裂能。测得该能量值高达约34 meV，远超正常能带结构HgCdTe反型层中的相应数值。这为研制可在室温下工作的碲化汞基自旋电子器件提供了可行途径。
作者：
Kuang Hong Gao，Guolin Yu，Yan Sun，Tingting Kang，Xin Chen，Ning Dai，Junhao Chu
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