研究目的
研究非晶氧化物半导体InGaZnO4(a-IGZO)中氧空位(VO)的性质，即浅能级与深能级。
研究成果
a-IGZO中的大多数氧空位充当浅施主，这可能有助于解决AOS薄膜晶体管的稳定性问题。
研究不足
小的超胞尺寸可能会因为高色散传导态与局域态之间的电子耦合，而阻碍对缺陷类型的明确区分。
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非晶氧化物半导体中氧空位的性质：浅能级与深能级
DOI：10.1002/pssb.201800486
期刊：physica status solidi (b)
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
利用第一性原理计算，我们研究了非晶氧化物半导体InGaZnO4（a-IGZO）中氧空位（VO）的性质——即浅能级与深能级特性，尽管该问题具有重要技术意义但尚未完全阐明。通过混合泛函分子动力学（MD）模拟生成缺氧非晶模型，在最小化计算近似的同时寻找稳定的VO构型。从八个独立模型中，我们一致发现VO表现为浅能级施主，使费米能级升至导带底之上。作为对比，我们还在MD模拟过程中通过给体系充电生成了深能级VO模型。研究发现深能级VO的形成能高于浅能级VO，证实浅能级VO是a-IGZO中更倾向形成的氧空位类型。
作者：
Hochul Song，Gijae Kang，Youngho Kang，Seungwu Han
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