研究目的
为探究纳米尺度下真空击穿的基本特性，总结近期实验与模拟研究的最新进展，理解其内在原理，从而为真空微器件的绝缘评估和结构设计奠定基础。
研究成果
该论文总结了纳米尺度下真空击穿的方法学、影响因素及潜在机制，强调了理解其基本原理对真空微器件绝缘评估和结构设计的重要性。研究指出未来工作需要更先进的诊断技术和更全面的理论分析。
研究不足
该研究受限于精细分辨率下的实验方法和诊断技术?；椎挠跋煲约癎a+离子束轰击导致的粗糙表面也是限制因素。
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[IEEE 2018年第28届真空放电与电气绝缘国际研讨会（ISDEIV） - 德国格赖夫斯瓦尔德（2018.9.23-2018.9.28）] 2018年第28届真空放电与电气绝缘国际研讨会（ISDEIV） - 纳米尺度真空击穿研究新进展：实验与模拟
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[IEEE 2018年第28届真空放电与电气绝缘国际研讨会（ISDEIV） - 德国格赖夫斯瓦尔德（2018.9.23-2018.9.28）] 2018年第28届真空放电与电气绝缘国际研讨会（ISDEIV） - 纳米尺度真空击穿研究新进展：实验与模拟
DOI：10.1109/deiv.2018.8536995
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
由于太空环境及其他领域中真空微电子器件特征尺寸的急剧缩小，纳米尺度下的真空击穿现象正受到越来越多的关注，这要求我们进一步探究纳米尺度真空击穿的基本特性。因此，本文总结了近期实验与模拟研究的进展，包括已发表的研究成果及我们的研究工作。我们对通用方法、典型实验技术和影响因素均进行了研究与总结。结果表明，扫描电子显微镜（SEM）、聚焦离子束与压电驱动纳米操纵器的组合被证明是一种有效且精确的实验研究技术，适用于10纳米至500纳米的范围。此外，电极材料类型、间隙距离和电极几何形状等因素也对真空击穿行为产生不同影响。在模拟研究方面，解析解是目前最常用的方法。因此，对纳米尺度真空击穿的方法、影响因素及潜在机制的总结，对于理解其基本原理至关重要，并为真空微器件的绝缘评估和结构设计铺平了道路。
作者：
Guodong Meng，Xinyu Gao，Yonghong Cheng，Chengye Dong，Kejing Wang，Dujiao Zhang
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