研究目的
基于紫外-可见光谱研究Tauc图法在测定改性半导体光催化剂带隙能中的正确应用。
研究成果
研究表明，直接应用Tauc方法可能导致对改性半导体带隙能量的错误估算。更精确的方法是减去改性组分的谱图，或采用基线法来考虑亚带隙吸收。
研究不足
Tauc方法直接应用于带隙以下能量区域具有显著吸收的材料（如缺陷材料、掺杂材料或表面改性材料）并不合适，这会导致带隙估算不准确。
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如何基于紫外-可见光谱准确测定改性半导体光催化剂的带隙能
DOI：10.1021/acs.jpclett.8b02892
期刊：The Journal of Physical Chemistry Letters
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
错误使用Tauc图确定半导体带隙能量可能导致估计偏差。对于表现出显著亚带隙能量光子吸收的改性半导体材料，尤其可能产生较大误差。以甲基橙/二氧化钛模型体系为例，我们探讨该问题并阐述如何正确应用Tauc方法。
作者：
Patrycja Maku?a，Micha? Pacia，Wojciech Macyk
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