研究目的
识别Nb-狄拉克半金属Cd3As2纳米线-Nb结中抑制的n=1阶跃的起源,并探索狄拉克半金属中的拓扑超导性。
研究成果
该研究系统地探究了基于Cd3As2纳米线的约瑟夫森结的射频响应,通过低频辐照下n=1阶跃的抑制及n=0阶跃处残余超电流的观测,揭示了4π周期超电流的贡献。通过调节栅压增强表面态贡献,奇数(n=1)夏皮罗阶跃进一步被抑制,表明4π周期超电流具有表面起源。这些发现有助于探索狄拉克半金属中的拓扑超导性。
研究不足
在传统2π约瑟夫森效应的高功率振荡区域中,也可以观察到n=1阶跃的抑制现象,这使得区分4π周期超流变得困难。体传导不可避免,因此2π周期贡献始终存在,4π周期超流无法使奇数阶跃完全消失。
1:实验设计与方法选择:
本研究通过测量不同频率下连续功率依赖的射频辐照对Nb-狄拉克半金属Cd3As2纳米线-Nb结的影响,以确定被抑制的n=1阶跃的起源。
2:样品选择与数据来源:
Cd3As2纳米线通过化学气相沉积法合成,并转移至285纳米厚SiO2层的硅衬底上,作为调控载流子密度的背栅。
3:实验设备与材料清单:
所选纳米线直径约90纳米。经氩刻蚀去除氧化层后,通过磁控溅射沉积Nb/Pd接触电极。
4:实验流程与操作步骤:
电输运测量在12毫开尔文基温的稀释制冷机中进行。射频测量时,约瑟夫森结通过同轴电缆辐照,其中射频驱动电流与直流偏置电流Idc耦合以诱导相位锁定的夏皮罗阶跃。
5:数据分析方法:
采用分箱法推导恒定电压Vn=nhf/2e的阶跃尺寸演变,研究4π周期超电流。
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