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痕量SnS2包覆SnO2纳米异质结构中促进剂系统的优化以实现高效Cr(VI)光还原

DOI:10.1016/j.apsusc.2018.12.042 期刊:Applied Surface Science 出版年份:2018 更新时间:2025-09-09 09:28:46
摘要: 构建具有强界面相互作用的异质结半导体材料正成为一种具有优异光催化性能的前沿材料。本文报道了一种通过原位微量硫化策略在SnO?表面包覆SnS?制备的新型SnS?/SnO?异质结材料。通过控制SnS?含量可调节包覆层厚度,并优化了异质结催化剂中S/Sn摩尔比、SnO?前驱体粒径及硫化时间等参数以提升光催化性能。当SnS?含量为19.5%时,该异质结催化剂在Cr(VI)降解中展现出超高的可见光活性,显著优于同测试条件下惰性的SnO?前驱体和完全硫化的SnS?。值得注意的是,增强的界面相互作用能显著促进光生电荷的分离与转移。本研究首次系统报道了SnS?/SnO?体系的界面调控方法,将推动对高性能水处理用纳米异质结材料的理解。
作者: Shuo Wang,Guangshe Li,Zhihua Leng,Yan Wang,Shaofan Fang,Jianghao Wang,Yanhua Wei,Liping Li
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研究概述 实验方案 设备清单

研究SnS2/SnO2异质结催化剂在可见光照射下对Cr(VI)还原的光催化性能。

通过原位微量硫化法制备的SnS?/SnO?异质结催化剂在可见光照射下对Cr(VI)还原表现出增强的光催化性能,这归因于SnS?与SnO?之间强烈的界面相互作用。研究发现最佳SnS?含量为19.5%,超过该比例时光催化性能会下降。该研究为环境应用中异质结材料的界面调控提供了系统方法论。

该研究聚焦于六价铬的光催化还原,可能并不直接适用于其他污染物。合成方法的可扩展性以及催化剂在实际条件下的长期稳定性尚未深入探究。

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