研究目的
研究二维MoTe2/WSe2范德华异质结构在外加垂直于界面层电场作用下的电子特性,重点关注外电场对带隙和能带排列的影响。
研究成果
外部电场可以调节MoTe2/WSe2异质结构的电子特性和能带偏移,诱导其从半导体向金属转变,并将能带排列从II型调谐为I型。该研究表明其在纳米电子器件中具有潜在应用。
研究不足
该研究基于计算模拟,可能无法完全捕捉实验条件下观察到的所有物理现象。由于固有自发极化的存在,对电场的响应具有独特性,这可能会限制研究结果的普适性。
研究目的
研究二维MoTe2/WSe2范德华异质结构在外加垂直于界面层电场作用下的电子特性,重点关注外电场对带隙和能带排列的影响。
研究成果
外部电场可以调节MoTe2/WSe2异质结构的电子特性和能带偏移,诱导其从半导体向金属转变,并将能带排列从II型调谐为I型。该研究表明其在纳米电子器件中具有潜在应用。
研究不足
该研究基于计算模拟,可能无法完全捕捉实验条件下观察到的所有物理现象。由于固有自发极化的存在,对电场的响应具有独特性,这可能会限制研究结果的普适性。
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