研究目的
利用电场研究BaTiO3衬底上锰酸盐薄膜中磁化和电阻率跳变的控制。
研究成果
通过电场可以控制LCMO/BTO薄膜中BTO M→R相变引发的磁化和电阻率突变方向,从而调控BTO衬底单斜晶系c轴相对于薄膜平面的取向,进而决定突变方向。该发现对于未来基于BTO衬底生长的锰氧化物材料实现巨大且可逆的磁热效应具有重要应用价值。
研究不足
该研究承认样品中存在其他取向的残余畴,这些残余畴可能影响局部性能但不会改变跳跃方向。对于所研究的50纳米厚薄膜,指出BTO极化的影响可以忽略不计。
研究目的
利用电场研究BaTiO3衬底上锰酸盐薄膜中磁化和电阻率跳变的控制。
研究成果
通过电场可以控制LCMO/BTO薄膜中BTO M→R相变引发的磁化和电阻率突变方向,从而调控BTO衬底单斜晶系c轴相对于薄膜平面的取向,进而决定突变方向。该发现对于未来基于BTO衬底生长的锰氧化物材料实现巨大且可逆的磁热效应具有重要应用价值。
研究不足
该研究承认样品中存在其他取向的残余畴,这些残余畴可能影响局部性能但不会改变跳跃方向。对于所研究的50纳米厚薄膜,指出BTO极化的影响可以忽略不计。
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