研究目的
研究开发一种统一漂移和扩散特性的忆阻器紧凑模型，以应用于神经元电路设计。
研究成果
本文提出了一种适用于漂移型和扩散型忆阻器的紧凑模型，该模型可弥补神经形态器件中扩散型忆阻器模型的不足。该模型能准确复现器件的直流和交流特性，与实验测量结果具有良好可比性。其Verilog-A模型可用于SPICE仿真，适用于神经形态电路设计。此外研究发现，扩散型忆阻器更适用于神经形态电路，并讨论了器件阈值电压及参数变化对电路性能的影响。
研究不足
该论文未明确提及研究的局限性。
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[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 应用于神经元电路设计的漂移扩散忆阻器紧凑模型
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[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 应用于神经元电路设计的漂移扩散忆阻器紧凑模型
DOI：10.1109/SISPAD.2018.8551744
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
基于氧化物界面层离子动态输运理论，提出了一种统一漂移与扩散两种开关特性的忆阻器紧凑模型。该模型通过不同氧化物材料基漂移/扩散忆阻器的实测数据验证，在参数变化和温度演变条件下，能良好拟合两类器件的直流/交流特性。此外，还展示了该模型在神经元电路设计中的应用。
作者：
Ying Zhao，Cong Fang，Qiang Li，Nianduan Lu，Feng Zhang，Ling Li，Ming Liu
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