研究目的
研究铝(Al)在III-V族半导体(InAs、GaAs和InGaAs)上的结构特性,以创建用于邻近超导应用的平滑且突变的界面。
研究成果
研究表明,生长条件和中间层的存在会显著影响铝在III-V族半导体上的结构特性。在InAs上沉积超薄AlAs层可减少界面反应并改善铝的外延生长,而表面层中的镓元素能降低其与铝的反应活性。这些发现对于邻近超导结构的发展至关重要。
研究不足
该研究存在局限性:一是无法测量沉积过程中样品的实际温度,二是RHEED观测中电子束可能对局部生长前沿产生影响。
研究目的
研究铝(Al)在III-V族半导体(InAs、GaAs和InGaAs)上的结构特性,以创建用于邻近超导应用的平滑且突变的界面。
研究成果
研究表明,生长条件和中间层的存在会显著影响铝在III-V族半导体上的结构特性。在InAs上沉积超薄AlAs层可减少界面反应并改善铝的外延生长,而表面层中的镓元素能降低其与铝的反应活性。这些发现对于邻近超导结构的发展至关重要。
研究不足
该研究存在局限性:一是无法测量沉积过程中样品的实际温度,二是RHEED观测中电子束可能对局部生长前沿产生影响。
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