研究目的
基于c面蓝宝石衬底上采用等离子体辅助分子束外延技术生长的超薄GaN/AlN多量子阱结构，研究高效电子束泵浦的亚240纳米紫外发射器。
研究成果
该研究成功展示了具有陡峭界面的高质量GaN/AlN多量子阱生长，并实现了235纳米波长的高效深紫外发光。在电子束泵浦发射器中观测到0.75%的最高效率，凸显了这些结构在紫外光子器件中的应用潜力。
研究不足
该研究受限于生长超薄GaN/AlN量子阱的技术约束以及电子束泵浦紫外发射器的应用限制，包括需要高电子束能量和电流。
基于等离子体辅助分子束外延技术在c面蓝宝石衬底上生长的超薄GaN/AlN多量子阱结构，实现的高效电子束泵浦亚240纳米紫外发射器
DOI：10.7567/APEX.11.091003
期刊：Applied Physics Express
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
我们报道了在富金属条件及低温（>700°C）下，通过等离子体辅助分子束外延技术在c面蓝宝石衬底上生长的阱宽为dw=1-4个单原子层（MLs）的GaN/AlN单量子阱与多量子阱（QW）异质结构的内建结构与发光特性。扫描透射电子显微镜和X射线衍射分析均证实形成了具有陡峭对称界面的平面型量子阱。在300K温度下，采用电子束泵浦的深紫外（1.5ML-GaN/5.5nm-AlN）360周期多量子阱发射器实现了峰值波长235nm处150mW的脉冲扫描输出功率与28mW的连续波输出功率，其最高效率达0.75%。
作者：
Valentin N. Jmerik，Dmitrii V. Nechaev，Alexey A. Toropov，Evgenii A. Evropeitsev，Vladimir I. Kozlovsky，Victor P. Martovitsky，Sergey Rouvimov，Sergey V. Ivanov
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