研究目的
研究零电压持续时间（0Vd）如何影响非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（TFTs）在脉冲栅极偏压应力下的退化倾向。
研究成果
脉冲式NBIS中的退化程度高度依赖于周期内的0Vd，而在脉冲式PBS中则未表现出对0Vd的明显依赖性。这种差异趋势源于NBIS和PBS下退化机制的根本不同。
研究不足
该研究聚焦于非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-InGaZnO TFTs）在脉冲栅极偏压应力期间零电压持续时间的影响，且研究结果可能无法直接适用于其他类型的薄膜晶体管或应力条件。
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非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管在脉冲栅极偏压应力作用下的脉冲持续时间效应
DOI：10.1016/j.sse.2018.12.001
期刊：Solid-State Electronics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
我们研究了零电压持续时间（0Vd）对非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-InGaZnO TFTs）在脉冲栅极偏压应力过程中退化趋势的影响。实验中对TFTs施加了直流或脉冲负偏压光照应力（NBIS）及正偏压应力（PBS），有效应力时间为4000秒。在施加脉冲偏压应力时，每个周期的应力电压持续时间（SVd）设定为10秒或1秒，而0Vd在SVd的100%至1%范围内变化。NBIS过程中，随着0Vd缩短，阈值电压和亚阈值斜率的退化均愈发严重；但脉冲PBS过程中这些趋势几乎消失。这种差异可能源于不同应力诱导退化的根本原因不同：NBIS涉及氧空位电离，而PBS涉及电子俘获。通过在浸水TFTs上进行的额外偏压应力测试验证了该机制，其中氢成为导致退化的主导因素。
作者：
Woo-Sic Kim，Yun-Seong Kang，Yong-Jung Cho，JeongKi Park，GeonTae Kim，Ohyun Kim
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