研究目的
研究低能负锂离子注入对电化学诱导支架上PbSe纳米线生长特性的影响。
研究成果
研究表明，负锂离子注入能在不明显改变PbSe纳米线形貌的情况下提升其电流，这对传感器、红外探测器和热电器件应用可能具有优势。随着离子注量增加，晶粒尺寸和应变增大，而光学带隙因带边附近浅能级态的产生而减小。
研究不足
该研究仅限于低能负锂离子注入对硒化铅纳米线的影响。研究结果可能无法直接适用于其他材料或更高能量的注入情况。
1：实验设计与方法选择：
采用限制性模板电沉积技术合成PbSe纳米线，并以不同注量注入200 keV负锂离子。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征形貌，X射线衍射(XRD)分析结构特性。利用紫外-可见光谱(UV-Vis)、光致发光和I-V测试研究光学与电学性能。
2：样品选择与数据来源：
PbSe纳米线在多孔聚碳酸酯模板中合成。对离子注入前后的样品进行表征。
3：实验设备与材料清单：
FESEM(Nova Nano FE-SEM 450)、XRD(Bruker AXS衍射仪)、紫外-可见近红外分光光度计(LAMBDA 750)、拉曼光谱仪(Renishaw inVia)、光致发光光谱仪(QM-8450-11)、Keithley源表(2400)。
4：0)、XRD(Bruker AXS衍射仪)、紫外-可见近红外分光光度计(LAMBDA 750)、拉曼光谱仪(Renishaw inVia)、光致发光光谱仪(QM-8450-11)、Keithley源表(2400)。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：采用三电极电化学池进行电沉积。使用低能离子注入机实施注入。注入后开展表征测试。
5：数据分析方法：
通过修正Scherrer公式和Williamson-Hall法计算晶粒尺寸，采用Kubelka-Munk函数计算光学带隙，根据I-V曲线分析电学性能。
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Field Emission Scanning Electron Microscope
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