研究目的
研究正丁胺（BA）掺杂对钙钛矿发光二极管（PeLEDs）性能的影响，重点关注薄膜形貌、光学特性和电学性质。
研究成果
BA的引入终止了晶粒表面并抑制晶体生长，从而增强辐射复合。然而，过量的BA会导致薄膜疏松和分流路径增加，其负面影响超过了光学增益。通过适度掺杂BA可实现PeLED的最佳性能，在光学与电学特性之间取得平衡。
研究不足
研究表明，过量掺杂BA会导致薄膜疏松并增加漏电通道，从而降低LED性能。必须权衡BA掺杂带来的光学增益与电学损耗，采用适度的BA负载量才能实现PeLED的最佳性能。
1：实验设计与方法选择：
研究通过向钙钛矿前驱体中引入正丁胺（BA）来调控薄膜生长并提升PeLED性能。
2：样本选择与数据来源：
制备了不同BA摩尔比（0%、5%、10%、20%、30%、50%）的钙钛矿薄膜以评估BA掺杂影响。
3：0%、5%、10%、20%、30%、50%）的钙钛矿薄膜以评估BA掺杂影响。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：材料包括正丁胺、正丁基溴化铵、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、溴化铅及MABr；设备包含场发射扫描电镜（FE-SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线衍射仪（XRD）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）、紫外-可见分光光度计及光致发光光谱仪（PL）。
4：实验流程与操作步骤：
钙钛矿薄膜经旋涂、反溶剂处理及退火工艺制备，LED器件结构为ITO/PEDOT:PSS/钙钛矿/PFN/TPBi/LiF/Ag。
5：数据分析方法：
通过SEM、AFM、XRD、FTIR、吸收与PL光谱及电流密度-电压-亮度测试分析形貌、结构、光学及电学特性。
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