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具有异常共存纳米相的Cu2SnSe3的电输运与热输运性质研究

DOI:10.1016/j.mtphys.2018.11.001 期刊:Materials Today Physics 出版年份:2018 更新时间:2025-09-04 15:30:14
摘要: 三元类金刚石化合物Cu2SnSe3是一种潜在的热电材料。其Cu-Se导电网络使Sn成为优化载流子浓度而不显著损害载流子迁移率的理想掺杂位点。因此,精确测定Cu2SnSe3复杂的相结构至关重要。我们首次采用原子级分辨扫描透射电子显微镜技术,揭示了银掺杂Cu2SnSe3中存在单斜相与正交相共存的特殊现象。由于相共存及正交相中的有序-无序转变,银掺杂样品展现出温度依赖性电输运特性的三阶段异常行为,并在该体系中实现了创纪录的高功率因子。第一性原理计算、霍尔测量和光学漫反射测量均证实了这种由相共存引发的三阶段行为。为全面理解这些共存相的能带结构及相干界面,我们提出能带接触模型,该模型能很好地解释三阶段电输运行为。此外,纳米尺度的相共存产生了高密度相界,这些共存纳米相对降低晶格热导率具有重要作用。最终,Cu2Sn0.93Ag0.07Se3获得的ZT值是无掺杂Cu2SnSe3的两倍。
作者: Y. Zhou,H. Wu,D. Wang,L. Fu,Y. Zhang,J. He,S.J. Pennycook,L.-D. Zhao
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研究概述 实验方案 设备清单

研究具有特殊共存纳米相的Cu2SnSe3的电学和热输运特性,重点关注银掺杂对相结构和热电性能的影响。

研究表明,在Cu2SnSe3中掺杂银元素会导致单斜相与正交相共存,通过改善电传输性能并降低晶格热导率,从而显著提升热电性能。在773K温度下,Cu2Sn0.93Ag0.07Se3实现了创纪录的0.6 ZT值,较未掺杂的Cu2SnSe3提高了两倍。

该研究的局限性在于相共存的复杂性以及精确控制合成过程以实现预期相结构所面临的挑战。多种相及其相互作用的存在使得输运性质的解释更为复杂。

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