研究目的
采用光诱导化学刻蚀法制备硅量子点及其光学性质研究。
研究成果
该研究成功制备出平均尺寸为2纳米、带隙为3.5电子伏特的硅量子点，由于量子限域效应呈现蓝光发射。该工艺为硅泥回收提供了一种潜在方法。
研究不足
该研究未提及光诱导化学蚀刻方法在工业应用中的可扩展性，也未讨论所制备硅量子点的长程稳定性。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用光诱导化学蚀刻法，通过氧化剂和蚀刻剂从锯切废料中制备硅量子点。
2：样品选择与数据来源：
锯切废料经HCl和HF混合溶液清洗以去除污染物。
3：实验设备与材料清单：
使用SEM和TEM测量粒径，UV-可见光谱仪测量吸光度，荧光光谱仪获取PL发射光谱。
4：实验步骤与操作流程：
将废料浸入氧化剂与蚀刻剂的混合溶液中，通过磁力搅拌棒分散，并利用截止波长滤光片控制反应。
5：数据分析方法：
采用修正的Kubelka-Munk函数计算能带间隙。
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