研究目的
研究单轴和双轴应力对CoSi2/nSi界面电阻率的影响，针对硅晶体的三个主要晶向，以优化下一代半导体器件中接触电阻率的降低。
研究成果
该研究发现，在应力作用下CoSi2/Si界面存在两种传输机制，在特定条件下[001]方向接触电阻率显著降低。[110]方向响应较温和，而[111]方向几乎无变化。这些发现为通过应力工程优化半导体器件接触电阻率提供了重要依据。
研究不足
该研究仅限于CoSi2/Si界面，未探索其他硅化物界面。计算方法虽精确，但由于模型简化，可能无法涵盖所有实际条件。
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[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - CoSi?/Si界面I-V特性中应力效应的第一性原理计算
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[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - CoSi?/Si界面I-V特性中应力效应的第一性原理计算
DOI：10.1109/sispad.2018.8551750
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
我们基于第一性原理计算了单轴和双轴应力对CoSi2/nSi界面电阻率的影响，针对硅的三个主要晶向展开研究。对于[001]晶向，我们在压缩和拉伸应力下均识别出两种显著的低偏压与高偏压导电机制：在约0.1V偏压范围内，电流主要由Γ点附近的电子传输通道主导；而在更高偏压下，则由布里渊区(±1/2, ±1/2)导带谷的传输主导，这使得接触电阻率在0.2V偏压时最高可降低30%。该效应在[110]晶向较不明显，在[111]晶向由于硅导带谷沿此方向的对称性而几乎可以忽略。本研究为下一代半导体器件中通过应力调控降低硅化物界面接触电阻率提供了优化路径的理论依据。
作者：
Oscar D. Restrepo，Qun Gao，Shesh M. Pandey，Eduardo Cruz-Silva，El Mehdi Bazizi
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