研究目的
研究栅极电压和温度对Ti-石墨烯界面接触电阻的影响，并探索p-n结的直接形成方法。
研究成果
研究表明，钛/石墨烯接触电阻受栅极电压和温度显著影响，在较低温度下电阻更低。钛接触会在石墨烯中引入n型掺杂，从而无需额外栅极或化学掺杂即可直接形成p-n结。这些发现对推进基于石墨烯的电子和光电器件发展至关重要。
研究不足
该研究聚焦于钛/石墨烯接触，可能并不直接适用于其他金属-石墨烯界面。退火后处理和器件制备的特定条件可能会限制研究结果的普适性。
1：实验设计与方法选择：
研究涉及制备基于石墨烯的场效应晶体管（FET）阵列（采用Ti/Au电极），并系统探究栅极电压和温度对接触电阻的影响。
2：样本选择与数据来源：
通过常压化学气相沉积（APCVD）在铜箔上生长单晶石墨烯薄膜，并转移至SiO?/Si衬底。
3：实验设备与材料清单：
扫描电子显微镜（SEM）、拉曼显微镜、透射电子显微镜（TEM）、电化学工作站、PMMA、APS溶液、丙酮、Ti/Au电极。
4：实验流程与操作步骤：
石墨烯生长、转移至衬底、FET器件制备、退火处理及电学输运测量。
5：数据分析方法：
采用传输线模型（TLM）法提取接触电阻，分析栅极电压和温度依赖性。
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获取完整内容-
SEM
Investigation of the crystallinity and morphology of the as-grown graphene flakes.
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Raman microscopy
Investigation of the crystallinity and morphology of the as-grown graphene flakes.
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TEM
Investigation of the crystallinity and morphology of the as-grown graphene flakes.
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electrochemical workstation
Electro-polishing of the copper foil.
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PMMA
Coating for graphene sample on copper foil.
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APS solution
Removal of copper foil.
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acetone
Removal of PMMA.
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Ti/Au electrodes
Fabrication of graphene-based FET arrays.
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