研究目的
研究针对太空任务设计的彩色CMOS相机所受辐射诱导剂量与单粒子效应,重点考察其累积剂量效应耐受性及单粒子效应评估。
研究成果
CASPEX微型摄像机展现出高度的辐射耐受性,其中暗电流及其相关的直流-随机电报信号(DC-RTS)是累积剂量效应导致的主要性能退化参数。研究证实了抗闩锁系统在单粒子效应期间保护互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS)免受损伤的有效性。
研究不足
本研究仅限于CASPEX??橹惺褂玫奶囟–MOS图像传感器及所测试的辐射条件。未探究更厚外延层对SEL敏感性的影响。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用伽马射线和质子评估彩色CMOS相机对累积剂量效应的耐受性,并使用重离子评估单粒子效应。
2:样本选择与数据来源:
使用CASPEX??槟诓煌蒀MOS图像传感器,其微透镜和彩色滤光片存在差异。
3:实验设备与材料清单:
配备不同CMOS图像传感器的CASPEX模块、伽马射线与质子辐照设施、重离子测试设备。
4:实验流程与操作步骤:
辐照在常温下进行,每次辐照前后均进行电光特性表征。
5:数据分析方法:
分析辐照后的噪声、暗电流、量子效率及玻璃透射率。
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