研究目的
研究SnSe2/石墨烯范德华异质结构中的界面超导性并理解其机制。
研究成果
该研究展示了SnSe2/石墨烯异质结构中具有常规特性的界面超导现象。这种超导性源于界面处形成的二维电子气。这一发现为界面超导提供了新见解，并为探索半导体SnSe2及其异质结构中的新奇物理现象提供了可能。
研究不足
该研究的局限性在于所涉界面的复杂性以及某些区域观察到的超导态不均匀性。外延石墨烯的结构波纹可能作为无序因素抑制相干峰。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用扫描隧道显微镜（STM）观察SnSe?与石墨烯界面处的超导现象。方法包括在石墨化SiC(0001)衬底上生长高质量SnSe?薄膜，并通过STM进行表征。
2：样品选择与数据来源：
SnSe?薄膜生长于石墨化SiC(0001)衬底，样品采用分子束外延（MBE）技术制备并进行原位STM表征。
3：实验设备与材料清单：
超高真空低温STM系统（Unisoku）、用于样品制备的MBE、高纯度Sn和Se源、氮掺杂SiC(0001)晶圆。
4：实验流程与操作步骤：
SnSe?薄膜在约210°C下生长于石墨化SiC(0001)衬底，随后原位转移至STM探头进行数据采集，在0.4K温度下测量隧道谱与形貌图。
5：4K温度下测量隧道谱与形貌图。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：采用标准锁相放大技术（小偏压调制）分析数据，超导能隙通过BCS Dynes公式描述。
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scanning tunneling microscopy
Unisoku
Used to observe superconductivity at the interface of SnSe2 and graphene.
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molecular beam epitaxy
Used for sample preparation.
-
nitrogen-doped SiC(0001) wafers
0.1 (cid:2) cm
Used as substrate for the growth of SnSe2 films.
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high-purity Sn
99.9999%
Used as a source for the growth of SnSe2 films.
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high-purity Se
99.999%
Used as a source for the growth of SnSe2 films.
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