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采用卷对卷PECVD工艺制备的丝网印刷烧结背面钝化接触技术，使大面积单多晶电池效率接近23%

DOI：10.1002/pip.3097 期刊：Progress in Photovoltaics: Research and Applications 出版年份：2018 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： 我们展示了一种n型双面太阳能电池，其背面采用SiOx/n+：多晶硅钝化接触界面（“单多晶”电池），其中界面氧化层和n+：多晶硅层是通过工业在线等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备制备的。在工业带式烧结炉中烧结后，在1倍太阳光照条件下，我们实现了卓越的钝化质量，暗饱和电流密度（J0）值约为3 fA/cm2，隐含开路电压（iVoc）达到730 mV。通过一种可轻松适应大规模生产的简单太阳能电池工艺流程，使用商用烧穿金属浆料，在大面积丝网印刷的直拉法硅（Cz-Si）太阳能电池上实现了22.8%的峰值电池效率，电池开路电压（Voc）为696 mV。
作者： Naomi Nandakumar，Lauretta Fondop，Pradeep Padhamnath，Shubham Duttagupta，John Rodriguez，Thomas Kluge，Thomas Groβe，Nagarajan Balaji，Marcel K?nig
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究采用工业在线等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备制备的背面界面SiOx/n+：多晶硅钝化接触的n型双面太阳能电池的效率。

研究成果

基于界面氧化物和n+掺杂多晶硅层、通过在线PECVD设备制备的钝化接触叠层展现出优异的钝化质量，实现了高达22.8%的效率，且电池开路电压值出色地达到698毫伏。该工艺流程采用成熟的工业设备和高温商用丝网印刷金属化技术，与全球光伏产业高度相关。

研究不足

研究指出，需进一步优化n+:poly-Si层以将填充因子值提升至>81.5%并实现更紧密的分布。此外，优化前表面减反射涂层可使短路电流密度Jsc超过41 mA/cm2。

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