研究目的
展示厘米级二硫化钼(MoS2)膜的生长与制备过程,这些膜具有可调的孔隙区域和平均纳米孔直径,并测量通过这些膜的离子电导率。
研究成果
该研究成功展示了一种可扩展生产具有可调孔径和密度的纳米多孔原子级薄MoS2膜的方法,在能量生成、液体和气体净化以及生物分子检测方面具有潜在应用。
研究不足
该研究的局限性在于:对于直径小于3纳米的纳米孔,受限于成像分辨率;而对于更大尺寸膜的制备,则受限于硫化腔室尺寸的可扩展性。
1:实验设计与方法选择:
本研究通过硫化钼箔制备二硫化钼(MoS2)薄膜,随后采用多步湿法刻蚀工艺制备悬浮膜。使用工业标准刻蚀剂(PAN)诱导纳米孔形成。
2:样品选择与数据来源:
通过硫化钼箔生长的厘米级MoS2薄膜,采用原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱和AC-STEM进行分析。
3:实验设备与材料清单:
钼箔(Alfa Aesar,厚度0.025毫米)、PAN刻蚀剂(H2O、磷酸、硝酸和醋酸的54:21:13:12体积比混合液)、AFM(布鲁克Dimension Icon)、拉曼光谱(NT-MDT NTEGRA Spectra)、AC-STEM(日本电子ARM-200CF)。
4:025毫米)、PAN刻蚀剂(H2O、磷酸、硝酸和醋酸的
4. 实验步骤与操作流程:将MoS2薄膜分离、转移,并用PAN刻蚀剂处理不同时间以控制孔隙率。
5:实验步骤与操作流程:
5. 数据分析方法:采用定制脚本的ImageJ和DigitalMicrograph软件进行AC-STEM图像分析和纳米孔量化。
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获取完整内容-
AFM
Dimension Icon
Bruker
Atomic force microscopy for surface characterization
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AC-STEM
ARM-200CF
JEOL
Aberration-corrected scanning transmission electron microscopy for atomic-resolution imaging
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Mo foil
0.025 mm thick
Alfa Aesar
Substrate for MoS2 film growth
-
PAN etchant
54:21:13:12 (v/v) mixture
Etching agent for nanopore formation in MoS2 membranes
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Raman spectrometer
NTEGRA Spectra
NT-MDT
Raman spectroscopy for material characterization
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