研究目的
研究在CMOS技术中使用石墨烯纳米带互连作为金属互连的替代方案,以解决电阻率、发热和电迁移问题。
研究成果
研究表明,在CMOS技术限制范围内制造石墨烯纳米带互连提供了一种有前景的方法,与金属互连相比,具有更低的电阻率和更小的电路延迟,且不存在电迁移相关问题。
研究不足
该研究受限于CMOS工艺处理的热约束条件,需将生长温度降至300°C。研究结果对短程局部互连之外更广泛互连应用的适用性尚未充分探究。
研究目的
研究在CMOS技术中使用石墨烯纳米带互连作为金属互连的替代方案,以解决电阻率、发热和电迁移问题。
研究成果
研究表明,在CMOS技术限制范围内制造石墨烯纳米带互连提供了一种有前景的方法,与金属互连相比,具有更低的电阻率和更小的电路延迟,且不存在电迁移相关问题。
研究不足
该研究受限于CMOS工艺处理的热约束条件,需将生长温度降至300°C。研究结果对短程局部互连之外更广泛互连应用的适用性尚未充分探究。
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