研究目的
在环境条件下研究金属（铝）、半导体（铟锡氧化物）和介电（二氧化硅）基底上Wells-Dawson铵盐与Keggin杂多酸薄膜的多电子还原与再氧化过程，以理解其氧化还原行为及在电子与催化系统中的潜在应用。
研究成果
Wells-Dawson型铵盐多电子还原反应在金属和半导体基底上的过程，受多酸阴离子（POMs）最低未占分子轨道（LUMO）能级与基底费米能级的相对位置以及铵反离子存在的影响。在介电基底上，该还原反应仅归因于铵反离子的氧化作用。这些发现为多酸在电子和催化领域的有效应用铺平了道路。
研究不足
本研究仅限于在环境条件下对特定基底（铝、ITO、二氧化硅）上的POM薄膜进行调查。未探究其他基底或极端条件的影响。POM薄膜的厚度处于轮廓仪测量极限，导致数值为近似值。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用旋涂法和滴涂法在不同基底（铝、ITO、二氧化硅）上制备POM薄膜，通过紫外-可见吸收光谱、傅里叶变换红外透射光谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱测量研究其氧化还原行为。
2：样品选择与数据来源：
在镀铝石英玻片、镀ITO玻璃玻片及裸石英玻片上制备Wells-Dawson铵盐和Keggin杂多酸POM薄膜。
3：实验设备与材料清单：
仪器包括珀金埃尔默Lambda 40分光光度计、布鲁克Tensor 27光谱仪、Ambios XP-2轮廓仪、M2000 Woolam椭偏仪，以及用于XPS和UPS测量的半球形EA-11莱宝分析仪。
4：实验步骤与操作流程：
将POM薄膜涂覆于基底后进行空气热处理，通过光谱技术监测其氧化还原行为。
5：数据分析方法：
根据紫外-可见光谱中IVCT波峰位置推断还原程度，分析XPS和UPS数据以确定POM薄膜的化学状态和电子特性。
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获取完整内容-
Perkin-Elmer Lambda 40 spectrophotometer
Lambda 40
Perkin-Elmer
Recording UV-Vis absorption spectra of POM films
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Bruker Tensor 27 spectrometer
Tensor 27
Bruker
Obtaining FT-IR transmission spectra of POM films
