研究目的
研究砷化镓光电导半导体开关（PCSS）在负微分迁移率（NDM）区域的时间抖动，以理解其行为并优化其性能。
研究成果
砷化镓光电导开关（PCSS）在负微分迁移率（NDM）区域的时间抖动呈现非单调特性，在NDM区起始点处可获得约15皮秒的最优时间抖动。该研究全面分析了影响时间抖动的因素（包括光激发参数与偏置电?。?，为优化PCSS性能提供了依据。
研究不足
该研究仅限于特定光激发条件下NDM区域中时间抖动的行为。较高电场下载流子的热效应可能会影响结果。
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负微分迁移率区砷化镓光电导半导体开关的时间抖动研究
DOI：10.1109/LED.2018.2886477
期刊：IEEE Electron Device Letters
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
研究了波长为1053 nm、脉宽为500 ps光激励下砷化镓光电导半导体开关(PCSS)的时间抖动特性。实验结果表明，在负微分迁移率(NDM)区域，GaAs PCSS的时间抖动呈现非单调变化规律，所有时间抖动值均低于开关波形上升时间的4%。在NDM区起始点获得了约15 ps的最优时间抖动。建立了光激励参数、偏置电场与GaAs PCSS时间抖动之间的理论关系，指出电场作用下时间抖动的非单调行为源于载流子谷间跃迁导致的漂移速度相对涨落不稳定性。
作者：
Lin Zhang，Wei Shi，Juncheng Cao，Shaoquiang Wang，Chengang Dong，Lei Yang
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