研究目的
研究室温下银膜在Si(111)7×7表面上的生长情况，以了解其结构特性、界面平整度及界面势垒高度等性质，这些研究对于微电子应用和二维材料合成具有重要意义。
研究成果
研究表明，在室温下生长于Si(111) 7×7表面的银薄膜具有优良的结构质量及0.4电子伏特的低界面势垒高度，适用于微电子器件及二维材料合成的衬底。其生长机制表现为初始岛状形核后接近平面逐层生长的过程。
研究不足
该研究仅限于室温下Si(1 1 1) 7×7表面厚度不超过30纳米的银膜。研究指出存在碳污染，这可能影响结果。研究未探讨不同沉积温度或其他衬底的影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用低能电子衍射（LEED）、X射线光电子能谱（XPS）和扫描隧道显微镜（STM）来研究室温下银膜在Si(111) 7×7表面的生长情况。
2：样品选择与数据来源：
使用强磷掺杂（n型）的Si(111)晶圆作为衬底。银通过克努森池以0.125 nm/s的速率沉积。
3：125 nm/s的速率沉积。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：Specs超高真空集群系统、分子束外延（MBE）腔室、光电子能谱腔室、扫描隧道显微镜腔室、用于银沉积的克努森池。
4：实验步骤与操作流程：
将Si(111)晶圆在1200°C下闪烧，直至获得清晰的7×7 LEED图样。随后在室温下沉积银。样品通过LEED、XPS和STM进行检测。
5：数据分析方法：
通过分析LEED斑点轮廓推导面内晶格常数和相干长度。XPS数据采用Voigt轮廓拟合，分析芯能级位移和强度。STM图像用于分析表面形貌。
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