研究目的
开发一种可靠且高效的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)小信号模型参数提取方法,以减少近似误差并提高精度。
研究成果
所提出的参数提取方法能有效降低近似误差,提供可靠的小信号参数,并且与器件尺寸具有良好的可扩展性。该方法高效,适用于大信号和噪声建模应用。
研究不足
该方法依赖于特定的偏置条件和器件类型;可能无法推广至所有氮化镓高电子迁移率晶体管变体或超过40 GHz的更高频段。迭代过程需要计算资源且可能耗时较长。
研究目的
开发一种可靠且高效的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)小信号模型参数提取方法,以减少近似误差并提高精度。
研究成果
所提出的参数提取方法能有效降低近似误差,提供可靠的小信号参数,并且与器件尺寸具有良好的可扩展性。该方法高效,适用于大信号和噪声建模应用。
研究不足
该方法依赖于特定的偏置条件和器件类型;可能无法推广至所有氮化镓高电子迁移率晶体管变体或超过40 GHz的更高频段。迭代过程需要计算资源且可能耗时较长。
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