研究目的
总结非晶态SiO2/Si界面及其界面缺陷的计算研究，包括建模、主要缺陷及其去钝化过程，并与实验结果进行对比。
研究成果
计算研究推进了对非晶态二氧化硅/硅界面及缺陷的理解，但在精确模拟过渡层和缺陷方面仍存在挑战。未来工作应聚焦于改进模型并通过实验验证。
研究不足
这些模型可能无法完全捕捉非晶态特性和过渡层性质；大体系的计算成本较高；部分缺陷结构尚未被充分理解；有时会采用经验参数。
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非晶二氧化硅与硅的界面及界面缺陷计算研究
DOI：10.1002/pssr.201800547
期刊：physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:23:52
摘要：
非晶态SiO2/Si界面可以说是半导体技术中最重要的部分，对器件可靠性有重要影响。其电子结构受缺陷（主要是被称为Pb型缺陷的悬挂键）影响，这些缺陷已被研究数十年。在器件加工过程中，这些缺陷通常被氢原子钝化，从而消除硅带隙中的缺陷能级，使其不再具有电活性。然而，当界面暴露于电离辐射时，辐射产生的质子会使钝化缺陷重新激活，这会显著影响器件性能并导致可靠性问题。本综述总结了关于非晶态SiO2/Si界面及界面缺陷的计算研究，包括界面建模、主要界面缺陷及其去钝化过程，并与实验结果进行对比。重点讨论了超精细参数，因为它们对识别界面缺陷结构至关重要。同时也强调了缺陷能级和缺陷去钝化过程，因为前者直接影响器件性能，后者直接在界面产生悬挂键。
作者：
Pei Li，Yu Song，Xu Zuo
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