1：实验设计与方法选择：

该研究采用低温低功率原位He/Ar等离子体处理的原子层退火外延技术（ALAE），在300°C下提升GaN晶体质量。该方法通过逐层生长结合等离子体处理实现退火效应。

2：样本选择与数据来源：

GaN外延层生长于(0001)蓝宝石衬底。样本包括未经ALA处理的参照组GaN及经不同等离子体处理的样本。

3：实验设备与材料清单：

设备包含等离子体ALD系统、XRD（PANalytical X’Pert Pro和Bruker D8）、高分辨透射电镜（Philips Tecnai F20 G2 FEI-TEM）、原子力显微镜（Bruker Dimension ICON）、俄歇电子能谱（JAMP-9510F场发射俄歇微探针，JEOL）、X射线光电子能谱（PHI VersaProbe）、椭偏仪（Elli-SE，Ellipso Technology）及霍尔效应测量装置。材料包括三甲基镓（TMGa）前驱体、N2/H2等离子体、He/Ar气体及蓝宝石衬底。

4：8）、高分辨透射电镜（Philips Tecnai F20 G2 FEI-TEM）、原子力显微镜（Bruker Dimension ICON）、俄歇电子能谱（JAMP-9510F场发射俄歇微探针，JEOL）、X射线光电子能谱（PHI VersaProbe）、椭偏仪（Elli-SE，Ellipso Technology）及霍尔效应测量装置。材料包括三甲基镓（TMGa）前驱体、N2/H2等离子体、He/Ar气体及蓝宝石衬底。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：ALAE循环包含TMGa脉冲、氩气吹扫、N2/H2等离子体、氩气吹扫及原位He/Ar等离子体处理。调控参数包括等离子体功率、氦氩比、生长温度及延迟时间。表征手段涵盖XRD、HRTEM、NBED、AFM、AES、XPS、椭偏仪及电学测量。

5：数据分析方法：

采用Scherrer公式计算晶粒尺寸，DigitalMicrograph软件分析NBED，XRD/XPS等采用标准技术，并通过统计分析评估晶体质量与性能。