1：实验设计与方法选择：

采用原子层沉积（ALD）技术在300°C下无需退火，于(001)取向α-Al2O3、(001)GaN和(110)Si衬底上生长纯MgO及镁掺杂浓度为1 at%和10 at%的ZnO薄膜。通过透射电子显微镜（TEM，含选区电子衍射SAED、高分辨TEM HRTEM和能量色散谱EDS）研究结构与微观结构，采用范德堡法霍尔测量评估电学性能。

2：(001)GaN和(110)Si衬底上生长纯MgO及镁掺杂浓度为1 at%和10 at%的ZnO薄膜。通过透射电子显微镜（TEM，含选区电子衍射SAED、高分辨TEM HRTEM和能量色散谱EDS）研究结构与微观结构，采用范德堡法霍尔测量评估电学性能。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：衬底为(001)α-Al2O3、(001)GaN和(110)Si。α-Al2O3与GaN衬底经浓硝酸和18 MΩ去离子水清洗。样品制备包含不同镁浓度（0 at%、1 at%、10 at%及100 at% Mg）。

3：(001)GaN和(110)Si。α-Al2O3与GaN衬底经浓硝酸和18 MΩ去离子水清洗。样品制备包含不同镁浓度（0 at%、1 at%、10 at%及100 at% Mg）。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：ALD反应器（Picosun SUNALE R-100）、前驱体（二乙基锌DEZ、双(乙基环戊二烯基)镁Mg(CpEt)2、去离子水）、载气（氮气）、TEM显微镜（Philips CM20、JEOL 3010、配备Super-X EDS探测器的THEMIS）、霍尔测量系统、Dektak轮廓仪、紫外-可见分光光度计。

4：0）、前驱体（二乙基锌DEZ、双(乙基环戊二烯基)镁Mg(CpEt)去离子水）、载气（氮气）、TEM显微镜（Philips CMJEOL 配备Super-X EDS探测器的THEMIS）、霍尔测量系统、Dektak轮廓仪、紫外-可见分光光度计。 实验流程与操作规范：

4. 实验流程与操作规范：300°C下ALD沉积，设定特定脉冲与吹扫时间。通过在锌前驱体脉冲间插入镁前驱体脉冲实现镁掺杂。采用铟电极进行电学测量，轮廓仪测定薄膜厚度。TEM样品制备包含SAED、HRTEM及EDS元素分布分析。

5：数据分析方法：

基于霍尔测量计算电学参数，通过紫外-可见吸收光谱计算带隙宽度，TEM图像与衍射花样分析晶体结构与取向，EDS测定元素组成。