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热阴极真空电弧技术沉积的石墨烯掺杂氧化锌(ZnO:Gr)纳米复合薄膜物理性能测定

DOI:10.1016/j.physb.2018.12.039 期刊:Physica B: Condensed Matter 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:23:52
摘要: 本研究采用热阴极真空电弧(TVA)技术,重点研究了石墨烯掺杂氧化锌(ZnO:Gr)纳米复合薄膜的生长。将ZnO:Gr纳米复合薄膜沉积在玻璃和硅(Si)基底上,通过干涉仪、紫外-可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、光致发光(PL)光谱、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和原子力显微镜(AFM)等多种分析技术,研究了掺杂效应对ZnO:Gr纳米复合薄膜结构、光学及形貌特性的影响。测得沉积在玻璃和Si基底上的ZnO:Gr纳米复合薄膜厚度分别为50 nm和20 nm。XRD图谱中观察到ZnO和碳纳米结构的衍射峰。利用紫外-可见分光光度计和光学干涉仪确定了ZnO:Gr纳米复合薄膜的折射率、反射率、透射率、吸光度及光学带隙曲线。通过光学方法测定玻璃基底上ZnO:Gr纳米复合薄膜的光学带隙为3.15 eV,该结果与PL测量值高度吻合。PL光谱显示397 nm(3.12 eV)处存在紫外(UV)发射峰。拉曼分析表明ZnO:Gr纳米复合薄膜中存在ZnO特征峰以及石墨烯的D峰和2D峰。FTIR光谱用于分析样品化学成分。AFM和FESEM分析显示ZnO:Gr纳米复合薄膜表面光滑平整,呈颗粒状均匀致密结构。由于晶粒尺寸较大,Si基底上ZnO:Gr纳米复合薄膜的电阻率低于玻璃基底沉积样品。因此,ZnO:Gr纳米复合薄膜作为透明导电氧化物(TCO)材料具有良好应用前景。
作者: Saliha Elmas,Suat Pat,Reza Mohammadigharehbagh,Caner Musao?lu,Mustafa ?zgür,U?ur Demirkol,Soner ?zen,?adan Korkmaz
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研究概述 实验方案 设备清单

通过热阴极真空电弧技术沉积的石墨烯掺杂氧化锌纳米复合薄膜的物理性质研究,重点分析其结构、光学及形貌特征,以评估其作为透明导电氧化物的潜在应用。

采用热蒸气辅助法沉积的ZnO:Gr纳米复合薄膜在硅衬底上呈现多晶结构,具有更小的带隙(3.15 eV)、光滑的表面形貌以及因较大晶粒尺寸而降低的电阻率。该材料有望作为透明导电氧化物应用于光电子领域。

该研究仅限于特定的沉积条件和基底(玻璃与硅),未探索其他参数或材料可能产生的变化。TVA技术在大规模应用或工业场景中的可重复性方面可能存在局限。

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