1：实验设计与方法选择：

本研究采用低压金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在InP(100)衬底上生长不同铟组分（x=0.16、0.28、0.53、0.72、0.82）的InxGa1-xAs外延层，以探究晶格失配对表面形貌和位错密度的影响。表征技术包括原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱及霍尔效应测量。

2：82）的InxGa1-xAs外延层，以探究晶格失配对表面形貌和位错密度的影响。表征技术包括原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱及霍尔效应测量。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：样品按表1所列特定铟组分制备，使用InP(100)衬底。通过多种分析仪器采集这些样品的数据。

3：实验设备与材料清单：

所用设备：MOCVD系统（AIXTRON 200/4）、AFM（Multimode 8）、SEM（EVO-18，蔡司）、XRD（D8布鲁克高分辨率X射线衍射仪）、TEM（JEM-2100F，日本电子）、离子抛光系统（徕卡RES101）、拉曼光谱仪（UV-堀?。⒒舳馐砸牵↙ake-7704A）。材料：三甲基铟（TMIn）、三甲基镓（TMGa）、氢气中的砷烷（AsH3）、钯扩散氢载气、InP衬底。

4：4）、AFM（Multimode 8）、SEM（EVO-18，蔡司）、XRD（D8布鲁克高分辨率X射线衍射仪）、TEM（JEM-2100F，日本电子）、离子抛光系统（徕卡RES101）、拉曼光谱仪（UV-堀场）、霍尔测试仪（Lake-7704A）。材料：

4. 实验步骤与操作流程：外延层生长温度为530°C，反应器压力为2×10^3 Pa，总流量为6650 ml/min。通过形貌（AFM、SEM）、晶体质量（XRD摇摆曲线）、位错密度（TEM）、残余应力（拉曼光谱）和电学性能（霍尔效应）对样品进行表征。截面TEM样品通过减薄和离子铣削制备。

5：3）、钯扩散氢载气、InP衬底。 实验步骤与操作流程：

5. 数据分析方法：根据特定公式从XRD摇摆曲线半高宽（FWHM）计算位错密度。利用提供的方程从拉曼位移测量推导残余应力。从AFM数据分析表面粗糙度。基于实验测量对载流子浓度等参数进行统计分析。