研究目的
通过平面氧化技术在谐振腔内引入反谐振氧化物岛，以改善垂直腔面发射激光器（VCSELs）的单模发射特性，并研究其对模态损耗和模式分布的影响。
研究成果
抗共振氧化物岛显著影响横向模式分布和光子寿命，从而实现强模式区分。通过优化岛尺寸，可获得HE12模式的单模运行，该模式呈现类高斯分布且损耗较低。此结构有望用于高功率单模垂直腔面发射激光器。
研究不足
该研究基于模拟，未提供实验验证。未来工作需分析模式的阈值电流和辐射功率。氧化工艺在实际制造中可能存在约束条件。
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[IEEE 2018年第20届透明光学网络国际会议（ICTON）- 布加勒斯特（2018年7月1日-2018年7月5日）] 2018年第20届透明光学网络国际会议（ICTON）- 利用反谐振氧化物岛提升VCSEL单模发射性能的方法
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DOI：10.1109/ICTON.2018.8473919
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:23:52
摘要：
本文提出了一种新型ARROW VCSEL结构，该结构利用平面氧化技术在谐振腔内设置抗共振氧化岛。氧化岛不仅能改善单模发射（这是垂直腔面发射激光器VCSELs最期望的效果之一），还会对每个横向模式相关的模态损耗产生显著影响，并改变其光场分布形态。本研究探究了这种影响的物理机理，揭示了氧化岛尺寸如何决定ARROW VCSEL的光学特性，从而实现最强的模态区分度。
作者：
Marta Wi?ckowska，Tomasz Czyszanowski，Guilhem Almuneau，Maciej Dems
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