研究目的
为了展示使用具有非对称接触的CsPbBr3探测器进行首次光谱学α粒子探测,并评估其在辐射探测应用中的传输特性。
研究成果
采用非对称接触结构的CsPbBr3探测器成功解析了241Am的α粒子和γ射线能谱,展现出优异的电荷传输特性——电子和空穴迁移率分别为63和49 cm2/(V·s),μτ乘积分别为4.5×10??和9.5×10?? cm2/V。该研究证实了CsPbBr3在室温辐射探测中的应用潜力,并为未来通过减少陷阱中心、提升稳定性等优化方向提供了依据。
研究不足
探测器在正向偏压下显示出暗电流的时间不稳定性,且电子传输谱在低偏压处存在一个无法解释的隆起。电极覆盖不完全导致的边缘效应造成了谱线中的低能拖尾。CsPbBr3中的电子俘获效应尚未完全理解,需要进一步研究。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用布里奇曼法生长CsPbBr3单晶,并制备非对称电极(铟和金)探测器以实现低暗电流和稳定性能。设计原理旨在实现对α粒子和γ射线的光谱探测。
2:样品选择与数据来源:
高质量CsPbBr3单晶通过熔体生长获得。α粒子源为1微居里241Am同位素,其发射5.5 MeV α粒子和59.5 keV γ射线。
3:5 MeV α粒子和5 keV γ射线。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:设备包括用于I-V测量的Keithley 6517B静电计、金属蒸发系统(沉积约70纳米厚的金和铟电极)以及前端电子学系统用于能谱记录。材料包含CsPbBr3晶体、金属接触层(铟、金、镓)、连接用碳浆及241Am辐射源。
4:实验流程与操作步骤:
对晶体进行切割、抛光和表面处理。通过热蒸发沉积电极。在暗态下测量I-V曲线。通过241Am和57Co源辐照评估探测器性能,在不同偏压下记录能谱并分析瞬态脉冲的上升时间分布。
5:数据分析方法:
能量分辨率按半高宽/峰位能量×100%计算。迁移率-寿命积(μτ)采用单载流子Hecht方程推导。迁移率通过μ = d2/(tr·V)从上升时间分布估算(d为厚度,tr为上升时间)。对瞬态脉冲进行统计分析。
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