研究目的
研究掺杂构型如何影响单层锯齿形石墨烯纳米带中的电子传输,重点关注采用密度泛函理论计算的具有锯齿边缘的混合单层石墨烯/h-BN纳米带的电导率。
研究成果
掺杂构型显著影响石墨烯/六方氮化硼杂化体系中的电子输运。用硼和氮原子替代碳原子会整体降低传输效率。传输方向构型因碳路径连续及边缘效应而呈现更高传输率。对角排列在大尺寸替代情况下展现出更优的输运特性。边缘效应、载流子及界面等因素起着关键作用。这些发现通过调控氮化硼畴排列,为设计基于石墨烯的电子器件提供了依据。
研究不足
该研究基于采用密度泛函理论(DFT)的数值模拟,其交换关联泛函可能存在近似性。该模型假设特定构型,未考虑实验差异或实际缺陷。研究聚焦于零偏压条件,限制了对偏压相关输运特性的认知。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用SIESTA软件包中的密度泛函理论(DFT)对电子结构和输运性质进行建模计算。通过TranSiesta程序运用非平衡格林函数法进行输运计算。交换关联相互作用采用Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)形式的广义梯度近似(GGA),离子-电子相互作用通过模守恒的Troullier-Martins赝势描述。
2:样本选择与数据来源:
研究对象为具有锯齿形边缘的单层石墨烯纳米带,输运方向包含三个晶胞。研究了三种掺杂构型:沿输运方向(xz方向)、垂直于输运方向(x方向)以及对角线方向用硼和氮原子替代碳原子。
3:实验设备与材料清单:
计算模拟使用SIESTA和TranSiesta软件包完成,未提及实体实验设备。
4:实验步骤与操作流程:
按照指定顺序逐步用硼和氮原子替换碳原子以构建混合结构。采用共轭梯度算法优化体系直至原子间作用力低于0.01 eV/?。在零偏压条件下计算[-2.5, 2.5] eV能量范围内的透射率。
5:01 eV/?。在零偏压条件下计算[-5, 5] eV能量范围内的透射率。
数据分析方法:
5. 数据分析方法:生成透射率等高线图并进行带隙分析。通过轨道投影能带分析和电荷密度分布解析结果。
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