1：实验设计与方法选择：

研究采用含Triton X-n表面活性剂（X-45、X-100、X-405）的KOH溶液在80°C下对硅片进行湿法蚀刻，形成45°倾斜的(110)晶面。实验方法包括接触角测量、原子力显微镜（AFM）表征表面粗糙度以及光学反射率测试。

2：X-X-405）的KOH溶液在80°C下对硅片进行湿法蚀刻，形成45°倾斜的(110)晶面。实验方法包括接触角测量、原子力显微镜（AFM）表征表面粗糙度以及光学反射率测试。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：使用P型掺杂Si(100)晶圆，经热氧化处理后通过反应离子刻蚀（RIE）进行图形化。样品在新鲜配制的不同Triton浓度（0-1000 ppm）溶液中进行蚀刻。

3：实验设备与材料清单：

设备包含玻璃蚀刻容器、温度探头、搅拌器、原子力显微镜、接触角测量仪、扫描电镜（SEM）、等离子体增强化学气相沉积系统（ASM P5000）、溅射系统（Denton）、激光器（1.55μm和3.80μm）、物镜（20X DIN来自Edmund Optics，LFO-5-6来自Innpho）以及光电探测器（铟镓砷、热电堆）。材料包括KOH颗粒（Kanto）、Triton X-n表面活性剂及去离子水。

4：0）、溅射系统（Denton）、激光器（55μm和80μm）、物镜（20X DIN来自Edmund Optics，LFO-5-6来自Innpho）以及光电探测器（铟镓砷、热电堆）。材料包括KOH颗粒（Kanto）、Triton X-n表面活性剂及去离子水。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：将晶圆置于搅拌的KOH-Triton混合溶液中，在80°C下蚀刻2小时，随后冲洗、干燥并进行表征。接触角测量在清洁的硅表面进行。光学测量通过光纤与透镜对准来测定反射功率。

5：数据分析方法：

蚀刻速率通过扫描电镜图像计算，表面粗糙度由原子力显微镜测得，光学效率基于探测器功率测量值获得。统计分析基于重复实验结果推导。