研究目的
研究在采用松散抛光粉加工光电子元件时,磨屑颗粒与抛光磨粒碎屑之间的相互作用机制。
研究成果
碎屑与磨粒之间的相互作用导致散射角为136.8°至173.2°,有效微分散射截面为0.4至1.8 Tb。粒子轨迹在工件表面附近形成环状,表明粒子在近似于平均晶粒半径的区域内"滚过"表面,这与经典抛光概念相符。
研究不足
该研究基于特定材料(氮化铝和立方氮化硼)及条件;结果可能不适用于其他材料或抛光参数。建模采用了理想化条件,可能无法完全反映现实复杂性。
研究目的
研究在采用松散抛光粉加工光电子元件时,磨屑颗粒与抛光磨粒碎屑之间的相互作用机制。
研究成果
碎屑与磨粒之间的相互作用导致散射角为136.8°至173.2°,有效微分散射截面为0.4至1.8 Tb。粒子轨迹在工件表面附近形成环状,表明粒子在近似于平均晶粒半径的区域内"滚过"表面,这与经典抛光概念相符。
研究不足
该研究基于特定材料(氮化铝和立方氮化硼)及条件;结果可能不适用于其他材料或抛光参数。建模采用了理想化条件,可能无法完全反映现实复杂性。
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