研究目的
采用第一性原理计算研究单层InSe中硒原子空位的巯基化学表面修复，评估修复前后的几何结构、电子性质和载流子迁移率。
研究成果
巯基化学法能有效修复单层InSe中的硒原子空位，使结构和电子特性恢复至接近无缺陷水平。但硫原子取代或插入超过特定覆盖度或进入材料内部时，会降低电子性能和迁移率，因此应避免此类情况。
研究不足
该研究基于计算模拟，可能无法完全反映实验条件或复杂性。其聚焦于特定的空位覆盖率和硫原子相互作用，可能忽略了其他缺陷类型或环境因素。
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利用硫醇化学修复具有硒原子空位的超薄InSe表面的第一性原理研究
DOI：10.1016/j.apsusc.2019.01.009
期刊：Applied Surface Science
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要：
利用第一性原理计算研究了硫醇化学法修复单层InSe中硒原子空位导致的表面缺陷。通过对比无缺陷情况，评估了S原子修复前后含Se空位的单层InSe几何结构与电子性质。键长、带隙和载流子迁移率等参数均可恢复至原始无缺陷结构的标准水平。此外还研究了S原子与完整单层InSe的相互作用：无Se空位时S原子无法在表面吸附，但可替代Se原子或插入单层InSe内部，且插入会导致性能下降一个数量级。研究表明硫醇化学是修复Se空位并保持抗氧化性的有效方法，但应避免S原子插入单层InSe内部。
作者：
Xin Wei，Chaofang Dong，Aoni Xu，Xiaogang Li
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