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通过硒蒸气处理在石墨相氮化碳骨架中引入氮缺陷以增强光催化产氢性能

DOI:10.1016/j.apsusc.2019.01.085 期刊:Applied Surface Science 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: 石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种不含金属的半导体光催化剂,因其具有光催化产氢的应用前景而备受关注。然而原始g-C3N4存在光生载流子复合率高、可见光吸收范围有限的问题,导致其光催化活性较低。本研究报道了一种具有可调氮缺陷的g-C3N4光催化剂的制备与测试,该催化剂展现出更优的光催化性能。通过硒蒸气处理纯g-C3N4,逐步在其晶格中引入氮缺陷,从而获得稳定且增强的光催化产氢活性。结合实验结果与密度泛函理论计算,我们发现这种光活性提升源于g-C3N4晶胞中氮空位(VN)形成的缺陷态(DS)以及可见光吸收范围的适度拓宽。该含氮缺陷的氮基光催化剂在室温(25℃)下平均产氢速率达1.16 mmol·g?1·h?1,是原始g-C3N4的3.4倍。这种向石墨相碳引入氮缺陷的方法,为提升g-C3N4基材料的光催化产氢活性提供了有效途径。
作者: Rong Mo,Jin Li,Yonghua Tang,Hongxing Li,Jianxin Zhong
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研究概述 实验方案 设备清单

通过硒蒸气处理引入氮缺陷,增强石墨相氮化碳(g-C3N4)的光催化产氢活性,以解决其电荷载流子复合率高和可见光吸收有限的问题。

通过硒蒸气处理向g-C3N4引入氮缺陷,可显著缩小带隙、增强可见光吸收并促进载流子分离,从而大幅提升光催化产氢性能。优化样品的H2析出速率较原始g-C3N4提高3.4倍且稳定性良好。该方法为光催化剂缺陷工程提供了可行方案,在可持续能源技术领域具有进一步优化和应用的潜力。

该研究仅限于实验室规模的实验,未涉及实际应用中的可扩展性和长期稳定性。硒蒸气处理方法在精确控制缺陷密度方面可能存在局限,且使用铂助催化剂会增加成本。关于硒处理的环境与安全问题未作讨论。

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