研究目的
开发一种用于功率电子器件中半导体实时温度测量的新方法,以提高运行可靠性、优化空间布局、提升功率密度、增强集成能力并降低成本。
研究成果
这项新工艺首次实现了无需结构改造的半导体温度实时测量,与红外测量结果高度吻合(分辨率1K,响应时间2.5毫秒)。该技术可记录运行负载和老化状态,从而优化功率电子器件设计,改善经济性与可靠性的平衡,并为风能等其他工业领域应用提供可能。
研究不足
该程序无需建筑结构改动,但通过红外相机验证需对样品进行修改(移除硅胶和遮光层)。精度限制在-40至150°C范围内测量误差<3%,存储容量上限为8kB,因此需要进行数据压缩。
1:实验设计与方法选择:
该方法利用半导体内部栅极电阻作为温度传感器,通过修改驱动电路在关断状态下对栅极电压进行正弦识别信号调制,并通过校准曲线评估系统响应。
2:样本选择与数据来源:
在搭载功率半导体的采埃孚混合动力变速箱中测试。
3:实验设备与材料清单:
驱动电路、控制器板、用于验证的红外相机、遮光用粉笔喷雾、8KB存储容量的EEPROM。
4:实验流程与操作步骤:
将该方法集成至驱动逆变器,移除硅胶凝胶并遮黑模块以进行红外测量,执行行驶工况,对比新方法与红外相机的温度数据。
5:数据分析方法:
采用在线雨流算法将温度数据压缩为频次分布,通过分析温度循环识别老化指标。
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