研究目的
将饱和电流密度J0作为统一评价指标,用于评估带间级联器件(ICDs)与子带间量子级联器件(QCDs),并根据载流子寿命差异比较二者在中红外探测器及光伏电池中的性能表现。
研究成果
饱和电流密度J0作为一个统一的优值指标,反映了ICD与QCD之间载流子寿命的本质差异。与具有相似跃迁能的QCD相比,ICD展现出显著更低的J0值(超过一个数量级),从而在探测器中实现更高探测率、在光伏电池中实现更高开路电压的优异性能。这为评估和比较两类器件提供了通用框架,对未来发展具有指导意义——尽管两者各具优势,仍将针对不同应用场景共存。
研究不足
由于带隙中的表面态,ICD对表面漏电流更为敏感,这可能导致提取的J0值被高估。不同团队的材料质量和加工技术存在差异,影响比较结果。该分析基于室温数据,可能无法完全反映其他温度下的性能表现。
1:实验设计与方法选择:
采用半经验模型描述级联器件的电流-电压特性,使用公式(1)及其修正形式公式(3)来考虑并联和串联电阻。该模型用于从Jd-V曲线中提取J0。
2:样本选择与数据来源:
使用了文献[13,16-25]中报道的各种ICD和QCD数据以及一些未发表的ICD数据。器件包括IC激光器、IC红外光电探测器、IC光伏电池和QC探测器,其有源区基于量子阱或超晶格。
3:实验设备与材料清单:
提供文本中未指定。
4:实验步骤与操作流程:
在室温下测量了8级ICD和50级QCD等器件的Jd-V曲线。使用最小二乘拟合方法将这些曲线与公式(3)进行拟合,以提取J0、Rshunt和Rs。
5:Rshunt和Rs。
数据分析方法:
5. 数据分析方法:使用最小二乘拟合方法将Jd-V数据与模型方程进行拟合?;谔崛〉腏0值和测量的响应度计算了探测率D*和开路电压Voc等参数。
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