研究目的
通过控制钠掺杂和减少GaOx的形成，改善双面CIGS光伏器件中ITO/CIGS背接触的孔传输性能。
研究成果
钠掺杂，尤其是在GaOx形成过程中引入，通过产生促进空穴传输的缺陷态显著改善了ITO/CIGS界面的电学性能。降低ITO厚度可减少GaOx的形成，而后续钠处理能将肖特基结转变为欧姆接触。这些发现对开发高效双面CIGS太阳能电池至关重要。
研究不足
该研究仅限于ITO背接触和450°C下的特定CIGS沉积条件。镓氧化物(GaOx)厚度对ITO厚度依赖性的确切机制尚未完全阐明。器件的可扩展性和长期稳定性未予讨论。所用特定材料和工艺可能不具备普适性。
1：实验设计与方法选择：
研究采用450°C的低温沉积CIGS以抑制GaOx形成。通过NaF后沉积处理（PDT）和钠钙玻璃扩散控制钠掺杂。制备并表征了多种ITO背接触结构。
2：样品选择与数据来源：
样品包含不同ITO厚度（200nm和600nm）、有无Mo或SiOx层、以及有无NaF PDT的CIGS太阳能电池。数据采集自光伏性能测量、TEM、SIMS、XPS、UPS、PL等分析。
3：实验设备与材料清单：
RF磁控溅射沉积ITO薄膜，共蒸发法沉积CIGS薄膜，NaF用于PDT，CBD法沉积CdS缓冲层，RF溅射制备i-ZnO和AZO，电子束蒸发制备Ni-Al栅线。表征设备包括TEM（Talos F200X）、SIMS（Cameca IMS-4FE7）、XPS/UPS（PHI 5000 VersaProbe）、配备DPSS激光器和单色仪的PL系统、Keithley源表j-V测量装置及变温测量用低温恒温器。
4：7）、XPS/UPS（PHI 5000 VersaProbe）、配备DPSS激光器和单色仪的PL系统、Keithley源表j-V测量装置及变温测量用低温恒温器。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：在SLG或SLG/SiOx衬底上制备ITO薄膜。采用改良三阶段共蒸发工艺在450°C沉积CIGS。沉积后进行NaF PDT处理。器件依次制备CdS、i-ZnO、AZO和Ni-Al栅线。在AM 1.5光照下测量性能。通过TEM和EDS分析界面结构，利用SIMS、XPS、UPS和PL探测元素与电子特性。
5：5光照下测量性能。通过TEM和EDS分析界面结构，利用SIMS、XPS、UPS和PL探测元素与电子特性。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：通过j-V曲线获取光伏参数，DLCP分析载流子浓度分布，TEM和EDS提供结构与成分数据，XPS和UPS给出电子结构信息，PL光谱分析缺陷态。
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